HiSilicon Kirin 970 di Huawei dovrebbe usare un processo produttivo TSMC a 10 nanometri

Con il recente HiSilicon Kirin 960, Huawei ha fatto sicuramente un grosso passo avanti nella lotta con gli altri chipmaker, Apple e Qualcomm su tutti, ma la prossima generazione dovrebbe colmare il gap che è ancora presente, seppur inferiore al passato. L’utilizzo dei core Cortex-A73 e della nuova GPU Mali-G71 ha contribuito all’incremento delle prestazioni anche se la GPU si rivela ancora troppo debole nei confronti della concorrenza.

Per ovviare a questo problema Huawei sarebbe già al lavoro su HiSilicon Kirin 970 che secondo le ultime indiscrezioni dovrebbe essere costruito con un processo produttivo a 10 nanometri di TSMC, il più grande produttore mondiale di semiconduttori. In questo modo il colosso cinese potrebbe ridurre ulteriormente la produzione di calore a tutto vantaggio della GPU che potrebbe dunque raggiungere le prestazioni della concorrenza.

HiSilicon Kirin 970 dovrebbe mantenere l’architettura octa core e integrare un modem LTE Cat.12 offrendo dunque prestazioni di altissimo livello a tutto tondo. Il prossimo anno dunque la battaglia dei chipset sarà condotta a 10 nanometri dopo che Qualcomm ha annunciato lo Snapdragon 835, basato sul processo produttivo FinFET a 10 nanometri di Samsung e MediaTek si appresta a commercializzare Helio X30 con processo produttivo TSMC a 10 nanometri e Helio X35 che aggiungerà un modem LTE Cat.12.