Samsung svela al mondo il processo produttivo FinFET a 10nm

In occasione del International Solid State Circuits Conference (ISSCC) che sta avendo luogo in questi giorni a San Francisco Samsung ha svelato al mondo la tecnologia FinFET a 10 nanometri che in futuro verrà utilizzata per produrre processori di ultima generazione. L’azienda ha inoltre dichiarato di essere pronta ad utilizzare il processo produttivo a 10 nm per la realizzazione di moduli DRAM.

Samsung è attualmente concentrata sui processori a 14 nm (tra pochi giorni verrà svelato il Galaxy S6 che dovrebbe utilizzare un SoC Exynos basato su tale tecnologia) ma con le dichiarazioni odierne dimostra di essere già pronta a competere negli anni a venire (2016-2017).

Il colosso coreano è attualmente l’unico in grado di sfruttare il processo produttivo a 14 nm su larga scala nel mercato mobile. Il principale rivale di Samsung, Qualcomm, ha effettuato solo recentemente il passaggio dai 28 ai 20 nm.

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Commenti

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  • Mauro Petruzzelli

    Se non ricordo male oltre il processo a 10nm non credo che si possa andare giusto? Perché oltre siamo al livello troppo microscopico anche per i lavori con le nanotecnologie. Correggetemi se sbaglio :)

    • Francesco Pegoraro

      Mi pare siano 5 nanometri il limite fisico per il silicio. Poi bisogna andare su altri materiali.

      https:// it. wikipedia. org /wiki/ 5_nm

      • Mauro Petruzzelli

        Ah… E poi su quali materiali andranno?

        • Fede

          Direttamente portafogli

  • G.Crisci

    Complimenti Samsung.

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