In occasione del International Solid State Circuits Conference (ISSCC) che sta avendo luogo in questi giorni a San Francisco Samsung ha svelato al mondo la tecnologia FinFET a 10 nanometri che in futuro verrà utilizzata per produrre processori di ultima generazione. L’azienda ha inoltre dichiarato di essere pronta ad utilizzare il processo produttivo a 10 nm per la realizzazione di moduli DRAM.
Samsung è attualmente concentrata sui processori a 14 nm (tra pochi giorni verrà svelato il Galaxy S6 che dovrebbe utilizzare un SoC Exynos basato su tale tecnologia) ma con le dichiarazioni odierne dimostra di essere già pronta a competere negli anni a venire (2016-2017).
Il colosso coreano è attualmente l’unico in grado di sfruttare il processo produttivo a 14 nm su larga scala nel mercato mobile. Il principale rivale di Samsung, Qualcomm, ha effettuato solo recentemente il passaggio dai 28 ai 20 nm.