Samsung è il più grande (e forse più ricercato) produttore di semiconduttori al mondo per alcuni semplici motivi: capacità produttiva elevata e design sempre all’avanguardia. Mantenere questo primato significa investire molto in ricerca e sviluppo, che porta l’azienda ad innovare in modo continuo non solo la propria offerta, ma anche quella del resto del mercato. La spinta a processi produttivi sempre più avanzati è cara a molte aziende, ma sembra esserlo specialmente per Samsung, che ha annunciato di essere a buon punto nello sviluppo del nuovo processo produttivo a 3 nanometri GAA (Gate-All-Around).
Secondo l’azienda, quanto sarà ultimato, potrebbe portare ad uno dei più grandi salti tecnologici degli ultimi anni grazie a riduzioni delle dimensioni dei chip fino al 45%, consumi inferiori del 50% e un’efficienza fino al 35% superiore. Samsung ha brevettato una particolare versione di GAA, il Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), che grazie alla sua architettura verticale fatta di nanostrati permette il passaggio di correnti superiori rispetto a quella FinFET “tradizionale”.
Per accelerare l’arrivo sul mercato di questo nuovo processo produttivo, l’azienda sudcoreana ha rilasciato ancora ad Aprile il PDK versione 0.1, ovvero il Process Design Kit. Nel frattempo, durante la seconda metà dell’anno Samsung farà partire la produzione del suo processo a 6 nanometri, al contempo preparandosi per il completamento di quello a 5 nanometri FinFet per fine 2019. Come se non bastasse, la fase di sviluppo del processo a 4 nanometri dovrebbe concludersi sempre a fine anno. Persino un colosso come TSMC, che ha da poco annunciato il proprio processo a 6 nanometri N6, probabilmente deve faticare per stare al passo con il rapido sviluppo di Samsung.