Oltre a essere leader mondiale nella produzione e vendita di smartphone, Samsung è uno dei principali produttori di memorie grazie alle tecnologie avanzate a sua disposizione. Il colosso sud coreano ha annunciato oggi l’inizio della produzione di massa dei primi moduli di memoria eUFS da 512 GB, che saranno utilizzati nella prossima generazione di smartphone.
In questo modo i flagship non soffriranno più delle limitazioni introdotte dall’utilizzo di memorie esterne di tipo microSD, grazie alla memoria embedded Universal Flash Storage, conosciute più semplicemente con la sigla UFS, decisamente più performanti.
I nuovi moduli da 512 GB sono realizzati utilizzando otto chip V-NAND da 512 Gb a 64 strati e un chip di controllo, tutto disposto su un’unica pila, occupando lo stesso spazio richiesto da un modulo da 256 GB. Grazie ad alcune tecnologie proprietarie è possibile ottimizzare i consumi e massimizzare l’efficienza energetica, riducendo al minimo l’inevitabile incremento dei consumi.
Per quanto riguarda le prestazioni, i nuovi moduli UFS Samsung raggiungono gli 860 MB/s in lettura sequenziale e i 255 MB/s in scrittura sequenziale, mente nelle operazioni random sono in grado di arrivare a 42.000 IOPS in lettura e 40.000 IOPS in scrittura. In questo caso si tratta di prestazioni 400 volte superiori a quelle di una normale scheda microSD, che raggiunge normalmente un valore di 100 IOPS.
I primi smartphone a montare le nuove memorie UFS da 512 GB saranno in commercio nel corso del prossimo anno.