Toshiba ha annunciato oggi quella che potrebbe essere la Next Big Thing nelle memorie flash, aprendo la strada a nuove memorie ad alta densità con costi contenuti. Semplificando al massimo, le memorie flash sono costituite da una serie di transistor con una carica che può assumere il valore “0” o “1”. I blocchi di memoria possono essere organizzati su un piano bidimensionale (planar NAND) o tridimensionale (3D NAND).

Ognuno di questi blocchi può essere diviso in diversi livelli di carica per contenere un maggior numero di dati. La soluzione presentata da Toshiba utilizza un sistema quadruple-level-cell (QLC) che consente di avere 16 livelli di carica per ogni blocco che potrà contenere 4 bit di dati.

Grazie alla nuova tecnologia Toshiba è riuscita a raggiungere la capacità di 768 Gigabit per ogni die, con la possibilità di utilizzare fino a 16 die QLC per ottenere memorie con capacità di 1,5 TB, il massimo finora raggiunto per una singola unità.

La tecnologia è destinata però a essere utilizzata nelle memorie a basso costo, visto che la presenza di 16 livelli di carica da analizzare rallenta la velocità di lettura e scrittura. Il produttore giapponese ha già iniziato a spedire i primi campioni ai potenziali acquirenti ma ci vorrà ancora qualche mese per vedere le prime soluzioni commerciali sul mercato.