Il produttore sudcoreano di chip di memoria SK Hynix ha appena stupito il settore IT presentando la versione “Turbo” della DRAM LPDDR5X rilasciata solo una paio di mesi fa. La memoria LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo) arriva all’impressionante velocità di 9,6 Gbps, un aumento del 13% rispetto alla precedente generazione.

Lo standard LPDDR5T opera all’interno dell’intervallo di bassissima tensione da 1,01 a 1,12 V stabilito dal JEDEC e secondo i rapporti dell’azienda è estremamente veloce pur avendo un consumo energetico estremamente basso.

SK Hynix prevede di fornire ai clienti un’ampia varietà di capacità e ha già messo a disposizione campioni da 16 GB che combinano più chip LPDDR5T, consentendo a un singolo modulo di elaborare 77 GB di dati al secondo.

La società prevede di iniziare la produzione di massa delle DRAM LPDDR5T nella seconda metà del 2023 utilizzando la tecnologia 1anm, la quarta generazione della tecnologia 10nm.

Le nuove tecnologie avranno bisogno di memorie ad altissime prestazioni

Secondo le previsioni del settore ci sarà un aumento della domanda di chip di memoria con specifiche migliori a causa dell’imminente espansione del mercato degli smartphone 5G e dell’avvicinarsi delle nuove tecnologie come l’intelligenza artificiale generativa, l’apprendimento automatico e la realtà virtuale.

Un portavoce della società ha dichiarato che SK Hynix ha soddisfatto la domanda dei clienti di prodotti ad altissime prestazioni e che l’azienda continuerà a investire sullo sviluppo tecnologico per guidare il mercato dei semiconduttori di prossima generazione e diventare un punto di svolta nel settore IT.

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