Micron, una delle aziende più importanti nella produzione di hardware di ridotte dimensioni indirizzato ai dispositivi mobili, punta ad aumentare la capacità di memoria degli smartphone, riducendo sempre più il ricorso alle schede di archiviazione esterne. Per fare ciò, l’azienda, sui futuri smartphone, ha intenzione di sovrapporre diversi dei suoi nuovi chip flash 3D NAND, presentati oggi in occasione del vertice sulle memorie flash tenutosi a Santa Clara, in California.

I nuovi chip 3D NAND dovrebbero fornire maggiore memoria di archiviazione in minore spazio, rispetto alle tecnologie concorrenti. Le nuove componenti di Micron hanno un taglio di 32 GB di capacità e si rivolgono alle fasce media e alta del mercato degli smartphone. La tecnologia utilizzata è la UFS 2.1, un protocollo di storage molto veloce, che non è stato ancora implementato nei dispositivi attualmente in commercio.

L’obiettivo di Micron è quello di sovrapporre più chip di memoria all’interno degli smartphone (come piani di un grattacielo, come è stato dichiarato dall’azienda); ciò sarà possibile non appena verrà ulteriormente raffinato il processo di produzione, come ha affermato Gino Skulick, vice presidente della divisione mobile di Micron. Gli attuali chip 2D NAND devono essere necessariamente affiancati, risultando più lenti e occupando più spazio.

L’obiettivo è stato fissato considerando la crescente necessità di memoria che gli smartphone stanno affrontando, soprattutto a causa di app sempre più pesanti, dal punto di vista dell’archiviazione di dati. Secondo Micron, la capacità di memoria degli smartphone, entro il 2020 potrebbe raggiungere quella dei computer attuali, con memorie interne pari a 1 TB di capacità, consentendo, tra l’altro, alte velocità di accesso ai dati.