Il modem Snapdragon X24 LTE, annunciato ieri da Qualcomm, è il primo chip prodotto con processo produttivo FinFET a 7 nanometri, potrebbe essere utilizzato per la prima volta sulla Mobile Platform Snapdragon 855. Non è il chipmaker californiano ad affermarlo ma alcuni fornitori esterni, secondo quanto riporta il leaker Roland Quandt, fonte notoriamente molto attendibile.
Il nuovo top di gamma, che non sarà annunciato prima dell’ultimo trimestre del 2018, sarà realizzato con processo produttivo a 7 nanometri, con ogni probabilità in collaborazione con TSMC che dovrebbe sostituire Samsung, che aveva realizzato gli ultimi due top di gamma di Qualcomm.
Ovviamente la fase di sviluppo e debugging richiederà ancora parecchi mesi, considerando che si tratta di una tecnologia poco esplorata e che potrebbe portare nuove incognite al produttore americano. Difficile che al Mobile World Congress 2018 Qualcomm possa fornire maggiori dettagli, quindi dovremo limitarci ad assistere alla dimostrazione delle capacità del nuovo modem 4G in grado di offrire velocità teoriche di 2Gbps.