L’intelligenza artificiale on-device sta per ricevere un nuovo, significativo “boost” dopo l’annuncio di nuovi componenti sempre più performanti pensati per equipaggiare gli smartphone che faranno il proprio debutto nel corso dei prossimi mesi e dei prossimi anni.
SK Hynix è pronta a fare un importante passo in avanti, con la presentazione della sua nuova soluzione di storage UFS 4.1 basata sulla tecnologia NAND a 321 layer, la più alta al mondo, che non solo promette di alzare l’asticella delle prestazioni per i futuri smartphone di punta, ma lancia anche una sfida diretta a Samsung, uno dei leader indiscussi nel settore delle memorie.
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Le nuove memorie SK Hynix UFS 4.1 sono un concentrato di velocità e innovazione al servizio dell’AI
SK Hynix ha annunciato ufficialmente lo sviluppo della sua soluzione UFS (Universal Flash Storage) 4.1, che adotta la NAND flash 4D triple level cell (TLC) da 1 TB a 321 layer, attualmente la più stratificata al mondo per applicazioni mobili.
Questo traguardo è stato pensato specificamente per le crescenti esigenze dell’intelligenza artificiale on-device (quella integrata nel dispositivo), dove prestazioni elevate e basso consumo energetico sono fondamentali per un funzionamento stabile e reattivo.
Le specifiche parlano chiaro: la nuova UFS 4.1 di SK Hynix raggiunge una velocità di lettura sequenziale fino a 4.300 MB/s. Si tratta della velocità di lettura sequenziale più elevata per una memoria UFS di quarta generazione. Ma non è tutto, perché l’azienda dichiara anche un miglioramento significativo nelle prestazioni di lettura e scrittura casuale, rispettivamente del 15% e del 40% in più rispetto alla generazione precedente.
Questi ultimi sono parametri cruciali per il multitasking e per la fluidità generale del sistema operativo e delle applicazioni, specialmente quando si tratta di carichi di lavoro legati all’AI.
Il confronto con Samsung: un sorpasso (marginale ma significativo)
Nel competitivo mercato delle memorie UFS per smartphone, Samsung è da tempo un punto di riferimento. Le sue soluzioni UFS 4.0, utilizzate nei prodotti di punta, offrono velocità di lettura e scrittura che arrivano rispettivamente a 4.200 MB/s e 2.800 MB/s, basate su una costruzione V-NAND a 176 layer.
Con i suoi 4.300 MB/s in lettura sequenziale, la nuova UFS 4.1 di SK Hynix si posiziona quindi marginalmente davanti alla soluzione più veloce attualmente offerta da Samsung.
Sebbene la differenza in termini di MB/s possa sembrare minima, è la tecnologia sottostante a segnare un passo importante: i 321 layer della NAND di SK Hynix contro i 176 layer di Samsung indicano un notevole avanzamento nella densità e nella sofisticazione produttiva.
Non solo velocità: efficienza energetica e design “ultra-slim”
Le novità introdotte da SK Hynix con la sua UFS 4.1 non si limitano alla pura velocità: nel comunicato ufficiale l’azienda sudcoreana ha posto grande attenzione anche all’efficienza energetica e alle dimensioni fisiche del chip, aspetti sempre più cruciali nel design degli smartphone moderni, si pensi ad esempio a dispositivi come il nuovissimo Samsung Galaxy S25 Edge.
La nuova soluzione UFS 4.1 offre un miglioramento del 7% nell’efficienza energetica rispetto alla precedente generazione di SK Hynix, basata su NAND a 238 layer. All’atto pratico, questo significa un minor consumo di batteria a parità di prestazioni, un dettaglio non da poco per dispositivi che, da sempre, sono chiamati a bilanciare potenza e autonomia.
Rispetto al passato, anche lo spessore del nuovo prodotto è stato ridotto: si parla di 0.15 mm in meno, arrivando a soli 0.85 mm contro il precedente millimetro. Questa riduzione del 15% dello spessore è fondamentale per l’integrazione in smartphone dal design “ultra-slim”, una tendenza che, come abbiamo accennato in precedenza, è sempre più diffusa nel mercato dei top di gamma.
Come sottolinea SK Hynix, anche se questi miglioramenti possono sembrare minori singolarmente, nel mercato estremamente competitivo degli smartphone ogni singolo bit di innovazione conta.
A tal proposito Ahn Hyun, Presidente e Chief Development Officer di SK Hynix, ha dichiarato quanto segue:
Siamo sulla buona strada per espandere la nostra posizione come fornitore completo di memorie AI nello spazio NAND costruendo un portafoglio di prodotti con un vantaggio tecnologico AI.
L’azienda, infatti, prevede di completare entro la fine dell’anno in corso anche lo sviluppo di SSD basati sulla stessa tecnologia NAND 4D a 321 layer, destinati sia al mercato consumer che ai data center.
Disponibilità e delle nuove memorie SK Hynix
SK Hynix prevede di fornire la sua nuova UFS 4.1 in due tagli di capacità: 512 GB e 1 TB. Per quanto riguarda le tempistiche, l’azienda punta a ottenere la qualifica da parte dei clienti produttori di smartphone entro la fine dell’anno corrente e prevede di iniziare le spedizioni in volumi a partire dal primo trimestre del prossimo anno (quindi durante il Q1 2026).