È normale che un nuovo chipset venga tenuto a battesimo da uno smartphone di fascia alta e Huawei sembra utilizzare questa filosofia con i propri prodotti della linea HiSilicon. Dopo aver fatto debuttare HiSilicon Kirin 950 con Huawei Mate 8, il produttore cinese potrebbe utilizzare Huawei Mate 9, che dovrebbe arrivare a fine anno, per far esordire il nuovo chipset HiSilicon Kirin 970, costruito con un processo produttivo a 10 nanometri.

Huawei dovrebbe utilizzare il processo produttivo FinFET a 10 nanometri del produttore taiwanese TSMC, lo stesso che dovrebbe essere utilizzato anche su MediaTek Helio X30. In precedenza erano circolate informazioni secondo cui Huawei Mate 9 avrebbe dovuto utilizzare un SoC Kirin 960 che però potrebbe essere utilizzato per Huawei Mate S2, lo smartphone che con ogni probabilità sarà presentato in occasione dell’IFA 2016 di Berlino.

La decisione di Huawei sembra molto sensata, visto che HiSilicon Kirin 960 dovrebbe utilizzare i nuovi core Cortex-A73 Artemis realizzati con processo produttivo a 16 nanometri, quindi con una tecnologi ormai superata e meno efficiente anche dal punto di vista energetico. Ecco perché la nuova tecnologia FinFET a 10 nanometri di HiSilicon Kirin 970 troverebbe la giusta applicazione su Huawei Mate 9, il vero top di gamma di Huawei che, se verranno mantenute le tempistiche dello scorso anno, dovrebbe arrivare sul mercato tra novembre e dicembre.