Samsung Electronics, leader mondiale sulle memorie per i dispositivi mobili, ha annunciato di aver sviluppato il primo blocco DRAM LPDDR5 “10-nanometer (nm) class 8-gigabit (Gb)”, che è un processo intermedio tra i 10 ed i 20 nanometri.
L’azienda afferma di essere al lavoro su questo step da quando, nel 2014, avviò alla produzione di massa la prima LPDDR4 8Gb. L’evoluzione odierna guarda al 5G e alla intelligenza artificiale, e rappresenta l’ultimo tassello alla linea premium DRAM di Samsung che comprende “10nm-class 16Gb GDDR6 DRAM”, entrata stabilmente in produzione da dicembre 2017, e “16Gb DDR5 DRAM” sviluppata a febbraio.
La “8Gb LPDDR5” vanta una velocità di scambio dati fino a 6400 megabit per secondo, una volta e mezzo più veloce della DRAM in uso negli attuali top di gamma (LPDDR4X arriva infatti a 4266 Mb/s). Per fare un esempio concreto, può trasferire 51,2 GB di dati, circa 14 filmati in FHD da 3,7 GB ciascuno, in un secondo.
“Lo sviluppo di 8Gb LPDDR5 rappresenta un passo in avanti verso le memorie a bassi consumi energetici” ha detto Jinman Han, vice presidente di Memory Product Planning & Application Engineering in Samsung Electronics, con grande soddisfazione.