Samsung ha da poco annunciato l’inizio della produzione di massa della prima memoria eUFS 3.0 da 512 GB, la memoria per lo storage dedicata agli smartphone di prossima generazione.
A parte le dimensioni da 512 GB, le caratteristiche tecniche sono in linea con lo standard eUFS 3.0. Il nuovo standard garantisce il doppio della velocità rispetto allo standard eUFS 2.1 e permette il supporto di display più grandi e con una risoluzione molto alta. Cheol Choi, vice presidente esecutivo della divisione Samsung “Memory Sales & Marketing”, ha dichiarato:
L’inizio della produzione di massa della nostra gamma eUFS 3.0 ci offre un grande vantaggio nel mercato mobile di prossima generazione, a cui stiamo portando una velocità di lettura della memoria che finora era disponibile solo su laptop ultrasottili.
La nuova Samsung eUFS 3.0 da 512 GB è stata realizzata combinando 8 layer di memoria V-NAND e integra un controller ad alte prestazioni. Grazie ai suoi 2.100 MB/s è in grado di raddoppiare la velocità di lettura dello standard eUFS 2.1.
Si possono capire ancora meglio le potenzialità della nuova memoria, se la si confronta con un SSD e una microSD. Infatti, la memoria Samsung eFUS 3.0 è quattro volte più veloce di un SSD medio e venti volte più veloce di una microSD. Per farvi un’idea, pensate che sarà possibile trasferire un film in Full HD, dallo smartphone a un PC, in soli tre secondi. Inoltre, è stata migliorata del 50% anche la velocità di scrittura, che ora è pari a 410 MB/s, raggiungendo così le velocità di scrittura offerte dagli SSD.
La nuova Samsung eUFS 3.0 da 512 GB è in grado di eseguire 63.000 e 68.000 operazioni al secondo, rispettivamente in input e in output, ovvero il 36% in più rispetto allo standard eUFS 2.1. Oltre alla versione da 512 GB, Samsung produrrà nello stesso periodo anche la versione da 128 GB. Inoltre, l’azienda sudcoreana produrrà anche i tagli da 256 GB e 1 TB, ma solo nella seconda metà dell’anno.
| Storage Memory | Sequential Read Speed |
Sequential Write Speed |
Random Read Speed |
Random Write Speed |
| 512GB eUFS 3.0 (Feb. 2019) |
2100MB/s (x2.10) |
410MB/s (x1.58) |
63,000 IOPS (x1.09) |
68,000 IOPS (x1.36) |
| 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) |
1000MB/s | 260MB/s | 58,000 IOPS | 50,000 IOPS |
| 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) |
860MB/s | 255MB/s | 42,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| eUFS 2.1 for automotive (Sep. 2017) |
850MB/s | 150MB/s | 45,000 IOPS | 32,000 IOPS |
| 256GB UFS Card (Jul. 2016) |
530MB/s | 170MB/s | 40,000 IOPS | 35,000 IOPS |
| 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) |
850MB/s | 260MB/s | 45,000 IOPS | 40,000 IOPS |
| 128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015) |
350MB/s | 150MB/s | 19,000 IOPS | 14,000 IOPS |
| eMMC 5.1 | 250MB/s | 125MB/s | 11,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 5.0 | 250MB/s | 90MB/s | 7,000 IOPS | 13,000 IOPS |
| eMMC 4.5 | 140MB/s | 50MB/s | 7,000 IOPS | 2,000 IOPS |