I prossimi smartphone avranno memorie pazzesche: al via la produzione delle memorie eUFS 3.0 da 512 GB di Samsung

I prossimi smartphone avranno memorie pazzesche: al via la produzione delle memorie eUFS 3.0 da 512 GB di Samsung
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Samsung ha da poco annunciato l’inizio della produzione di massa della prima memoria eUFS 3.0 da 512 GB, la memoria per lo storage dedicata agli smartphone di prossima generazione.

A parte le dimensioni da 512 GB, le caratteristiche tecniche sono in linea con lo standard eUFS 3.0. Il nuovo standard garantisce il doppio della velocità rispetto allo standard eUFS 2.1 e permette il supporto di display più grandi e con una risoluzione molto alta. Cheol Choi, vice presidente esecutivo della divisione Samsung “Memory Sales & Marketing”, ha dichiarato:

L’inizio della produzione di massa della nostra gamma eUFS 3.0 ci offre un grande vantaggio nel mercato mobile di prossima generazione, a cui stiamo portando una velocità di lettura della memoria che finora era disponibile solo su laptop ultrasottili.

La nuova Samsung eUFS 3.0 da 512 GB è stata realizzata combinando 8 layer di memoria V-NAND e integra un controller ad alte prestazioni. Grazie ai suoi 2.100 MB/s è in grado di raddoppiare la velocità di lettura dello standard eUFS 2.1.

Si possono capire ancora meglio le potenzialità della nuova memoria, se la si confronta con un SSD e una microSD. Infatti, la memoria Samsung eFUS 3.0 è quattro volte più veloce di un SSD medio e venti volte più veloce di una microSD. Per farvi un’idea, pensate che sarà possibile trasferire un film in Full HD, dallo smartphone a un PC, in soli tre secondi. Inoltre, è stata migliorata del 50% anche la velocità di scrittura, che ora è pari a 410 MB/s, raggiungendo così le velocità di scrittura offerte dagli SSD.

La nuova Samsung eUFS 3.0 da 512 GB è in grado di eseguire 63.000 e 68.000 operazioni al secondo, rispettivamente in input e in output, ovvero il 36% in più rispetto allo standard eUFS 2.1. Oltre alla versione da 512 GB, Samsung produrrà nello stesso periodo anche la versione da 128 GB. Inoltre, l’azienda sudcoreana produrrà anche i tagli da 256 GB e 1 TB, ma solo nella seconda metà dell’anno.

Storage Memory Sequential
Read Speed
Sequential
Write Speed
Random
Read Speed
Random
Write Speed
512GB eUFS 3.0
(Feb. 2019)
2100MB/s
(x2.10)
410MB/s
(x1.58)
63,000 IOPS
(x1.09)
68,000 IOPS
(x1.36)
1TB eUFS 2.1
(Jan. 2019)
1000MB/s 260MB/s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
512GB eUFS 2.1
(Nov. 2017)
860MB/s 255MB/s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
eUFS 2.1 for automotive
(Sep. 2017)
850MB/s 150MB/s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
256GB UFS Card
(Jul. 2016)
530MB/s 170MB/s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
256GB eUFS 2.0
(Feb. 2016)
850MB/s 260MB/s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
128GB eUFS 2.0
(Jan. 2015)
350MB/s 150MB/s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250MB/s 125MB/s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB/s  90MB/s  7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB/s  50MB/s  7,000 IOPS  2,000 IOPS
Fonte: Samsung