Samsung ha avviato la produzione di massa di moduli RAM LPDDR3 (Low Power Double Data Rate) da 6 gigabit realizzati con processo produttivo a 20nm.
Il colosso coreano si prepara dunque a guidare l’evoluzione delle memorie destinate ai dispositivi mobili i quali, proprio grazie all’adozione del processo produttivo a 20nm, potranno godere di maggiore autonomia (consumi ridotti del 10% rispetto al passato), maggiori performance (del 30%) e dimensioni ridotte (relativamente ai package di memoria, 20%). Il transfer rate per-pin massimo dichiarato da Samsung è pari a 2133 Mbps (megabit al secondo).
Un modulo da 6 gigabit, per chi non avesse dimestichezza con questo tipo di conversioni, equivale a 0.75 gigabyte, ciò significa che unendo 4 chip insieme si otterrà un quantitativo di RAM pari a 3 GB, ottimo per equipaggiare i nuovi smartphone top di gamma.
Grazie alle ridotte dimensioni, le memorie risulteranno particolarmente adatte anche per i dispositivi wearable (smartwatch, smartband etc.).