Se pensate che negli smartphone attuali 128 GB di memoria interna possano essere più che sufficienti per ogni esigenza e 256 GB siano solamente uno sfizio, nel 2018 potremo vedere top di gamma con 512 GB di storage e velocità di lettura e scrittura triple rispetto a quelle attuali.
A dichiararlo è Silicon Motion Technology che ha sviluppato una nuova linea di controller per memorie UFS 2.1 in grado di offrire prestazioni di altissimo livello. Mentre le attuali memorie UFS 2.1 arrivano a 19.000 IPOS (input/ouput operations per second) in lettura e 14.000 IOPS in scrittura, i nuovi controller garantiranno rispettivamente 50.000 IOPS e 40.000 IOPS.
I nuovi controller per la memoria interna degli smartphone permetteranno inoltre di ridurre ulteriormente i consumi e consentiranno di raggiungere velocità quasi dieci volte superiori alle memorie di tipo eMMC 5.1, presenti nella maggior parte degli smartphone attuali. Secondo le previsioni degli analisti le memorie di tipo eMMC 5.1 dovrebbero sparire entro i prossimi cinque anni per essere definitivamente soppiantate da quelle UFS che hanno fatto il loro debutto con Samsung Galaxy S6.
La produzione di massa dei nuovi controller UFS 2.1 inizierà nella seconda metà dell’anno mentre alcuni sample sono già stati inviati ad alcuni partner selezionati
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