All’inizio di questa settimana Qualcomm ha presentato lo Snapdragon 8 Gen 3, il suo nuovo chipset per gli smartphone di punta progettato per supportare l’intelligenza artificiale.
Il nuovo SoC è compatibile con le memorie DRAM LPDDR5X prodotte da Samsung e con le DRAM LPDDR5T prodotte SK Hynix che sono ancora più veloci.
SK Hynix ha annunciato che i suoi chip DRAM LPDDR5T hanno completato il processo di verifica per la compatibilità con lo Snapdragon 8 Gen 3 e che ora sono pronti per gli smartphone di fascia alta.
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SK Hynix lancia la DRAM LPDDR5T per gli smartphone di punta
La società fa sapere che la DRAM LPDDR5T sarà disponibile in un modulo da 16 GB che offre una velocità dati massima di 9,6 Gbps, ovvero circa il 12,5% più veloce della DRAM LPDDR5X (8,5 Gbps).
SK Hynix afferma inoltre che i suoi nuovi chip di memoria sono i più efficienti della categoria dal punto di vista energetico, funzionando a una tensione di soli 1,01~1,12 V, inferiore del 10% rispetto alle LPDDR5X.
L’azienda ha utilizzato il processo HKMG (High K Metal Gate) per migliorare le prestazioni e l’efficienza dei suoi chip LPDDR5T e prevede che acquisiranno quote di mercato significative prima del lancio del nuovo standard DRAM LPDDR6.
Qualcomm ha dichiarato che la collaborazione con SK Hynix abbina la memoria mobile più veloce all’ultima piattaforma mobile Snapdragon per offrire straordinarie esperienze basate sull’intelligenza artificiale, come gli assistenti virtuali AI per gli utenti di smartphone.
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