La scorsa settimana vi abbiamo riportato le prime voci sul nuovo flagship di Samsung: il Galaxy S6, nome in codice “Project Zero”. Il nome adottato da Samsung starebbe ad indicare una svolta netta con il passato, a partire dal possibile display curvo su entrambi i lati.
Oggi puntiamo l’attenzione su un aspetto spesso trascurato quando andiamo a leggere le specifiche tecniche di uno smartphone: la memoria flash. Secondo un nuovo rapporto giunto dalla Corea, Samsung dovrebbe adottare un nuovo tipo di memoria, chiamato UFS (Universal Flash Storage).
Si tratta di una memoria NAND Flash di nuova generazione che unisce un drive SSD allo stato solido ed una eMMC a bassa potenza, per ottenere un’elevata velocità di trasferimento ed un ridotto consumo energetico. Mentre la velocità di trasferimento tipica di una eMMC è di 400MB al secondo, il nuovo UFS raggiunge l’impressionante velocità di 1,2GB al secondo, con un consumo che, sulla carta, dovrebbe essere la metà di quello di una comune eMMC.
Sembra che i recenti problemi riportati da alcuni utenti di iPhone 6 e iPhone 6 Plus legati all’utilizzo di memorie TLC NAND economiche da parte della casa di Cupertino stiano convincendo i produttori a non risparmiare su alcuni componenti chiave come le memorie. Sembra che anche Xiaomi sia intenzionata ad utilizzare le memorie UFS nei suoi smartphone a partire dal prossimo anno.