Nella giornata di ieri attraverso un post su Twitter, Samsung ha annunciato la versione 4.0 della sua Universal Flash Storage (UFS), memoria utilizzata in un considerevole numero di smartphone, tablet e altri dispositivi mobili. L’inizio della produzione di massa è stimata per il terzo trimestre dell’anno, questo consentirà ai futuri dispositivi del colosso di guadagnare in velocità ed efficienza.

Stando a quanto riporta l’azienda le memorie UFS 4.0 offrono una larghezza di banda di 23,2 Gbps, il doppio di quanto fornito dalle attuali UFS 3.1, rendendole “perfette per smartphone 5G che richiedono enormi quantità di elaborazione dati“. Per quanto riguarda le velocità, grazie alla tecnologia V-NAND di settima generazione, le memorie avranno una velocità di lettura sequenziale fino a 4.200 MB/s e velocità di scrittura sequenziale fino a 2.800 MB/s, valori notevolmente più alti di quelli delle attuali UFS 3.1 che consentono 2.100 MB/s in lettura e 1.200 MB/s in scrittura.

Potendo offrire velocità di lettura e scrittura più elevate, nonché una maggiore larghezza di banda, le nuove memorie UFS 4.0 di Samsung migliorano contestualmente anche l’efficienza energetica; l’azienda infatti stima un miglioramento del 46% rispetto alle UFS 3.x. Inoltre lo spazio di archiviazione disponibile avrà capacità fino a 1 TB.

Samsung lavorerà anche con altri produttori, al fine di rendere disponibili le UFS 4.0 oltre che su smartphone di altri brand, anche in altri settori quali quello automobilistico, della realtà aumentata e della realtà virtuale. Considerando le tempistiche riportate per la produzione di massa, potremmo presumere di vedere le nuove memorie impiegate sui prossimi dispositivi di punta del brand, come i prossimi smartphone pieghevoli Galaxy Z Fold 4 e Galaxy Z Flip 4, e la prossima gamma Galaxy S23.