Il mondo dell’informatica e della tecnologia è sempre in continuo fermento, capita dunque assai spesso che un centro universitario o uno scienziato indipendente riesca a portare avanti qualche scoperta interessante e potenzialmente rivoluzionaria. E’ questo il caso della Rice University, i cui ricercatori hanno recentemente ideato una nuova forma di resistive RAM (RRAM) a base di ossido di silicio poroso.
Quest’ultima si differenzia dalle soluzioni attualmente in commercio per diversi aspetti fondamentali: necessita di minore energia, può durare fino a 100 volte di più (in termini di numero di usi) e, soprattutto, vanta una densità estremamente maggiore – addirittura 9 bit per cella.
Tutte queste caratteristiche dovrebbero portare ad ottenere chip di memoria molto piccoli ma con capacità di archiviazione importanti (all’incirca la grandezza di un francobollo per una memoria da 1 TB!). Tutto ciò potrebbe ovviamente tradursi in una vera e propria rivoluzione per il mondo mobile che da sempre attende soluzioni capienti ma con dimensioni ridotte.
L’arrivo sul mercato delle nuove tecnologie non è ancora pronosticabile (non per il grande pubblico almeno), tuttavia stando a quanto riportato dall’ingegnere capo James Tour sembra che già durante le prossime settimane potrebbe concretizzarsi un accordo con un produttore ancora sconosciuto. Attendiamo novità in merito.