Nel corso del 4G/5G Summit tenuto da Qualcomm a Hong Kong, Samsung ha annunciato alcune novità legate alle memorie, che dovranno adeguarsi alla maggiore velocità della rete. Si partirà già nel 2019 quando saranno disponibili le prime memoria di tipo UFS 3.0, nei tagli da 128, 256 e 512 GB.
Bisognerà invece attendere almeno fino al 2021 per le prime soluzioni con 1 TB di memoria, anche se sarà possibile realizzare smartphone con due moduli da 512 GB, per raggiungere già 1 TB di memoria interna. Samsung intende sfruttare l’evoluzione della tecnologia 3D NAND per aumentare la densità di archiviazione, senza per questo aumentare le dimensioni dei moduli di memoria.
Lo standard UFS 3.0 porterà non solo un incremento delle dimensioni della memoria interna ma anche un raddoppio della banda, a tutto vantaggio della velocità di memorizzazione dei dati.
Insieme alle memorie interne cambierà anche la tipologia delle RAM, con il rollout della tecnologia LPDDR5, per la quale però dovremo attendere il 2020. Samsung inizierà la produzione di massa tra un paio d’anni dunque, e promette una banda compresa tra i 44 e i 51 GB/s, con una riduzione dei consumi del 20%.
Si prospetta dunque un 2019 interessante, ricco di innovazioni tecnologiche legate alle reti 5G, che a quanto pare porteranno a una grossa evoluzione anche nelle altre componenti degli smartphone.