Samsung sta finalmente puntando in modo serio sul nuovo tipo di memoria chiamato eMRAM (embedded magnetic random access memory) iniziando a produrre in massa questi chip, basandosi sul processo produttivo 28FDS; ma quali sono i vantaggi di questa tecnologia rispetto alla convenzionale memoria eFlash?

La differenza principale sta nella capacità della MRAM di poter scrivere i dati in memoria senza la necessità di effettuare prima un ciclo di cancellazione, raggiungendo così velocità di scrittura fino a 1000 volte superiori a quanto possibile attualmente. L’eliminazione del ciclo erase si ripercuote anche sui consumi, che scendono fino ad un quattrocentesimo (1/400) durante la scrittura; all’abbassamento l’energia consumata contribuisce il voltaggio operativo minore richiesto. Tutto ciò è possibile grazie al metodo utilizzato per conservare i dati, fondamentalmente diverso rispetto a quello delle memorie Flash: la MRAM infatti misura la resistenza elettrica delle celle, al contrario dell’attuale tecnologia che legge invece la carica elettrica conservata.

Un altro vantaggio riguarda la sua non-volatilità, che le permette di mantenere i dati anche quando spenta, risparmiando quindi ulteriore energia e aprendo la possibilità a nuovi sistemi basati solamente su questo tipo di memoria che, al contempo, risulta persino essere più duratura.

La soluzione eMRAM di Samsung è inoltre semplice da integrare nei sistemi attuali dato che è, secondo l’azienda, un processo “Plug-in” e quindi facilmente interfacciabile con qualsiasi tipo di tecnologia di transistor ci sia nel back-end.

Samsung ha intenzione inoltre di continuare a sviluppare questa nuova tecnologia rapidamente, passando il prima possibile al processo produttivo 18FDS e successivamente a FinFET. Il suo successo potrebbe essere cruciale per il mondo dell’informatica in quanto le attuali memorie eFlash stanno andando incontro a problemi di scalabilità che non sono facilmente superabili e Samsung è infatti sicura che la eMRAM rimpiazzerà in modo graduale l’attuale tecnologia.