Durante lo scorso anno l’azienda produttrice di semiconduttori Micron aveva presentato una nuova memoria NAND dotata di 176 layer, permettendo velocità più elevate sia in scrittura che in lettura e rendendo più compatto l’intero modulo flash. Questa tecnologia viene già impiegata negli SSD PCIe e Micron ora ha intenzione di portarla anche nel mondo mobile ed applicarla alle UFS 3.1.
A beneficiarne saranno le memorie NAND UFS 3.1 di nuova generazione che Micron, grazie ai 176 layer, porta fino a 1500 MB/s in scrittura. Questo, con una connessione internet adeguata, permetterebbe di scaricare un film di circa 2 ore in 4K in meno di 10 secondi, un risultato davvero incredibile. La nuova tecnologia NAND a 176 layer permette poi di avere un grande salto prestazionale anche per la lettura random, che migliora del 70% rispetto alla precedente generazione a 96 layer.
Anche la velocità di scrittura sequenziale migliora del 75% e ciò che l’azienda definisce come “workload misto”, ovvero l’apertura e lo switch tra app, raggiunge prestazioni migliorate fino al 15%. Ciò che Micron punta ad alleviare (ma non ancora a risolvere completamente) è uno dei problemi hardware più costrittivi per la performance assoluta degli smartphone di ultima generazione, ovvero una memoria che non è in grado di stare al passo delle velocità di download della rete 5G, creando quindi un bottleneck prestazionale che rallenta il download dei file.
Micron ha annunciato che i tagli di queste nuove memorie UFS 3.1 saranno 128, 256 e 512 GB e inizieranno ad essere montate su nuovi device a partire con l’Honor Magic 3, in arrivo il 12 agosto.