Samsung, durante l’evento Samsung Mobile Solutions Forum che si è tenuto a Shenzhen, in Cina, ha presentato il nuovo chip di memoria DRAM da 6 GB LPDDR4, costruito con processo produttivo a 10 nm. Tale componente è probabilmente destinata al futuro Samsung Galaxy Note 6, che dovrebbe essere presentato durante il mese di agosto. Durante l’evento, oltre alle ultimissime novità, vengono condivise le ultime tendenze della tecnologia e si parla degli sviluppi futuri, in particolare quelli inerenti al settore dei semiconduttori.
Se quanto anticipato dai rumor fosse veritiero, il nuovo Samsung Galaxy Note 6 sarà caratterizzato da un display da 5,8 pollici con tecnologia Slim RGB AMOLED, processore Qualcomm Snapdragon 823 e la nuova memoria DRAM LPDDR4 da 6 GB. Inoltre, il phablet di punta di Samsung, potrebbe essere dotato anche di uno scanner dell’iride. In ogni caso, se tutto ciò venisse confermato al momento del lancio, Galaxy Note 6 potrebbe essere il primo dispositivo dedicato al mercato consumer con una memoria da 6 GB tanto prestante.
Ovviamente, la nuova componente potrebbe essere utilizzata anche per il successore di Samsung Galaxy S7, il probabile Galaxy S8, se non vi saranno cambiamenti di rotta in relazione ai nomi dei modelli. Il chip, grazie al processo di produzione a 10 nm, dovrebbe garantire una maggiore velocità rispetto alle tecnologie attuali, consumando meno energia e contribuendo così a migliorare le prestazioni complessive della batteria del dispositivo.