Samsung inizia la produzione di memorie DDR3 a 20nm

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Come si evolvono le tecnologie che permettono di produrre i processori, così si evolvono anche i processi produttivi per le RAM. Samsung ha recentemente inaugurato la produzione di moduli di memoria DRAM da 4Gb (ovvero 512MB) a 20nm.

Le tecniche di litografia adottate per queste nuove memorie saranno poi utili per la produzione di moduli a 10nm, che sono il prossimo salto nella produzione di DRAM. I nuovi moduli permettono di aumentare la produttività degli impianti del 30% e di risparmiare il 25% di energia rispetto agli attuali moduli da 25nm.

I principali vantaggi di questi moduli sono il minor consumo energetico e la maggiore densità (più memoria nello stesso spazio), che rendono possibile impiegare più RAM occupando lo stesso spazio e consumando meno rispetto a quanto ora disponibile.

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Commenti

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  • Giulio

    ma avate scritto ” (ovvero un 1GB) ” perché?
    Non mi risulta che 1GB equivalga a 4GB a meno che non lo intendiate rispetto al volume occupato dal modulo di memoria… ma anche qui mi sembra strano!
    Oppure intendete che i moduli ram prodotti sono da 1GB?

    • Errore mio. 4Gb equivalgono a 512MB. “b” (minuscola) sta per “bit”, mentre “B” (maiuscola) sta per “byte”. 8 bit equivalgono ad un byte, dunque 4Gb/8 = 512MB (ovvero (4*8*2^10)/8).

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