Samsung avvia la produzione di massa di SoC con processo FinFET a 10 nanometri

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Nonostante la batosta di Galaxy Note 7, Samsung non perde tempo a leccarsi le ferite ma annuncia di aver avviato oggi la produzione di massa di chipset realizzato con processo produttivo FinFET a 10 nanometri. Dopo aver introdotto per la prima volta la tecnologia FinFET nel settore mobile quasi due anni fa, Samsung compie un ulteriore passo avanti rispetti all’attuale tecnologia a 14 nanometri.

Grazie all’utilizzo di una struttura 3D dei transistor il processo FinFET a 10 nanometri permetterà di ottenere un incremento dell’efficienza del 30%, con prestazioni superiori del 27% e consumi energetici inferiori del 40% rispetto alla tecnologia attuale, basata sul processo a 14 nanometri. Nel secondo semestre del 2016 Samsung avvierà inoltre la produzione dei processori di seconda generazione, realizzati ancora con tecnologia a 10 nanometri, che dovrebbero garantire un ulteriore balzo in avanti delle performance.

I primi dispositivi dotati dei nuovi chipset vedranno la luce nei primi mesi del prossimo anno e oltre ai prodotti con chipset Exynos, vedremo la tecnologia FinFET a 10 nanometri anche sui prodotti Qualcomm, grazie all’accordo stretto tra i due produttori.

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